電能質量治理
ANBSMJ自愈式低壓并聯電容器
技術參數
1）自(zi)愈性(xing)：產品(pin)具有良好的自(zi)愈性(xing)能，即在電(dian)介質局(ju)部擊(ji)穿后，能自(zi)動迅速(su)恢(hui)復其(qi)絕緣性(xing)能。
2）額定(ding)電壓：三相 450V、480V、525V；分補(bu) 250V、280V、300V。
3）容量偏差：不(bu)超過額定值(zhi)的-5～+10%。
4）損耗(hao)：在(zai)工(gong)頻額定電壓下 20℃時，損耗(hao)角正(zheng)切值不大于 0.0015。
5）過壓(ya)能力：允許在 1.1Un 下長(chang)期運行。
6）過流能力(li)：允許在 1.3In 下長期(qi)運行。
7）耐壓：極對(dui)極施(shi)加 2.15Un，2s 不擊(ji)穿(chuan)；極對(dui)殼施(shi)加 AC3kV,10s 不擊(ji)穿(chuan)。
8）內(nei)置放電電阻：在(zai)斷(duan)電后 3 分鐘(zhong)內(nei)可將端子上的(de)電壓(ya)降低至 75V 以(yi)下。
9）內(nei)設過壓隔(ge)離(li)裝置：一(yi)旦電(dian)容器(qi)出現故障，內(nei)部產生的過壓力將使(shi)隔(ge)離(li)裝置動作，從而自(zi)動切斷電(dian)源。
正常工作條件
1）安裝海(hai)拔：高度≤2000m。
2）安裝環境：溫(wen)度-25℃～+50℃。
3）安裝(zhuang)場所：無劇烈機械震(zhen)動(dong)，無有害氣體和蒸汽，無導電性(xing)和爆(bao)炸性(xing)塵埃。
4）電(dian)(dian)容器(qi)(qi)投入(ru)運行(xing)時(shi)(shi)，必須抑制(zhi)合閘時(shi)(shi)涌流(liu)大(da)(da)小(xiao)，應采用具有限(xian)流(liu)裝置的(de)電(dian)(dian)容器(qi)(qi)專用接觸器(qi)(qi)或在電(dian)(dian)壓過零時(shi)(shi)投入(ru)的(de)無觸點開關(guan)，也(ye)可以在電(dian)(dian)容器(qi)(qi)上串(chuan)聯(lian)接入(ru)限(xian)流(liu)電(dian)(dian)抗器(qi)(qi)，以避免電(dian)(dian)容器(qi)(qi)的(de)早期損壞(huai)，涌流(liu)的(de)大(da)(da)小(xiao)應限(xian)制(zhi)在 100 倍額定電(dian)(dian)流(liu)以內。
