電能質量治理
AFK晶閘管投切開(kai)關
●可控硅耐(nai)壓：可控硅耐(nai)壓不低于2000V，具有過(guo)壓、過(guo)流(liu)(liu)及電(dian)流(liu)(liu)瞬變保護措施。
●上電、掉(diao)電無誤觸發：上電時(shi)不會誤投入(ru)電容(rong)(rong)，掉(diao)電時(shi)能(neng)及(ji)時(shi)切除已投入(ru)的(de)電容(rong)(rong)。
●過(guo)零(ling)(ling)投切(qie)：過(guo)零(ling)(ling)投切(qie)、涌流小。
●可(ke)(ke)控硅耐(nai)壓(ya)(ya)：可(ke)(ke)控硅耐(nai)壓(ya)(ya)不低于2000V，具(ju)有過壓(ya)(ya)、過流(liu)及電流(liu)瞬變保護措(cuo)施(shi)。
●上(shang)電、掉電無誤觸(chu)發：上(shang)電時(shi)(shi)不會誤投(tou)入電容，掉電時(shi)(shi)能及時(shi)(shi)切除(chu)已投(tou)入的(de)電容。
●過(guo)零投切：過(guo)零投切、涌流小(xiao)。
